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1. WO2020029360 - SENSOR

Publication Number WO/2020/029360
Publication Date 13.02.2020
International Application No. PCT/CN2018/104432
International Filing Date 06.09.2018
IPC
G01H 11/02 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
11Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
02by magnetic means, e.g. reluctance
H04R 19/04 2006.01
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
19Electrostatic transducers
04Microphones
CPC
G01D 5/14
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
5Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
12using electric or magnetic means
14influencing the magnitude of a current or voltage
Applicants
  • 歌尔股份有限公司 GOERTEK INC. [CN]/[CN]
  • 北京航空航天大学青岛研究院 QINGDAO RESEARCH INSTITUTE OF BEIHANG UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventors
  • 邹泉波 ZOU, Quanbo
  • 冷群文 LENG, Qunwen
  • 王喆 WANG, Zhe
Agents
  • 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM
Priority Data
201810886846.806.08.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SENSOR
(FR) CAPTEUR
(ZH) 一种传感器
Abstract
(EN)
Disclosed in the present invention is a sensor, wherein a detection structure comprises a first magnet, a second magnet, and a magnetoresistive sensor disposed in a common magnetic field formed by the first magnet and the second magnet. When at an initial position, the magnetoresistive sensor is located at a position in which the magnetic field direction of the first magnet is opposite to the magnetic field direction of the second magnet. The magnetoresistive sensor is configured to, during the vibration of a diaphragm, sense a variation in the common magnetic field of the first magnet and the second magnet and then output a variation electrical signal. Further comprised is a driving device for adjusting mutual positions between the magnetoresistive sensor and the first magnet and second magnet. Regarding the sensor of the present invention, the relative position between the magnetoresistive sensor and the first magnet and second magnet may be finely adjusted by means of the driving device, ensuring that the magnetoresistive sensor may work in a suitable magnetic field, and preventing an impact on sensor sensitivity due to fabrication and assembly errors.
(FR)
La présente invention concerne un capteur, comprenant une structure de détection dotée d'un premier aimant, d'un second aimant et d'un capteur magnétorésistif placé dans un champ magnétique commun formé par le premier aimant et le second aimant. En position initiale, le capteur magnétorésistif est situé dans une position dans laquelle la direction de champ magnétique du premier aimant est opposée à la direction de champ magnétique du second aimant. Le capteur magnétorésistif est conçu pour, pendant la vibration d'une membrane, détecter une variation dans le champ magnétique commun du premier aimant et du second aimant, puis délivrer en sortie un signal électrique de variation. L'invention concerne en outre un dispositif d'entraînement conçu pour ajuster des positions mutuelles entre le capteur magnétorésistif et le premier aimant et le second aimant. Dans le capteur selon la présente invention, la position relative entre le capteur magnétorésistif et le premier aimant et le second aimant peut être ajustée finement au moyen du dispositif d'entraînement, ce qui permet d'utiliser le capteur magnétorésistif dans un champ magnétique approprié, et évite l'impact de la fabrication et des erreurs d'assemblage sur la sensibilité du capteur.
(ZH)
本发明公开了一种传感器,检测结构包括第一磁体、第二磁体,以及设置在第一磁体、第二磁体形成的共同磁场中的磁阻传感器;初始位置时,磁阻传感器位于第一磁体的磁场方向与第二磁体的磁场方向相反的位置;磁阻传感器被配置为在振膜的振动过程中感应第一磁体、第二磁体共同磁场的变化而输出变化的电信号;还包括调节磁阻传感器与第一磁体、第二磁体之间相互位置的驱动装置。本发明的传感器,通过驱动装置可以微调磁阻传感器与第一磁体、第二磁体之间的相对位置,保证磁阻传感器可以工作在合适的磁场中,避免了因制造、装配误差对传感器灵敏度的影响。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau