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1. (JPWO2011025045) グラフェン薄膜とその製造方法

Office : Japan
Application Number: 2011528909 Application Date: 31.08.2010
Publication Number: WO2011025045 Publication Date: 03.03.2011
Grant Number: 5641484 Grant Date: 07.11.2014
Publication Kind : B2
IPC:
C01B 31/02
C CHEMISTRY; METALLURGY
01
INORGANIC CHEMISTRY
B
NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF
31
Carbon; Compounds thereof
02
Preparation of carbon; Purification
Applicants: 国立大学法人九州大学
Inventors: 吾郷 浩樹
伊藤 由人
田中 伊豆美
水野 清義
辻 正治
Agents: 西澤 利夫
Priority Data: 2009200982 31.08.2009 JP
2010045930 02.03.2010 JP
Title: (JA) グラフェン薄膜とその製造方法
Abstract:
(JA)

大面積で、均質かつドメインバンダリーの少ないグラフェン薄膜、さらには結晶方位の向きが揃ったグラフェン薄膜を安価に製造することができる、エレクトロニクスへの応用などの工業的な利用に適した新規なグラフェン薄膜の製造方法とグラフェン薄膜を提供する。
本発明のグラフェン薄膜の製造方法では、単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板を用いて、このエピタキシャルな金属膜の表面に炭素原料を接触させることによりグラフェン薄膜を成長させる。また、本発明のグラフェン薄膜は、グラフェン薄膜が多数のグラフェンドメインから構成され、各ドメインの面積が0.000001μm2〜100000mm2であり、かつドメイン内の六員環の方位がグラフェン薄膜全体にわたって平均的に同一方向を向いている。


Also published as:
US20120196074WO/2011/025045