(EN) Semiconductor device structures (1a,1b,1c,1d) and methods for manufacturing the same are provided. The semiconductor device structure (1a,1b,1c,1d) includes a substrate (10), a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, a gate structure (61), a first spacer, a second spacer and a drain electrode (63). The first nitride semiconductor layer is disposed on the substrate (10). The second nitride semiconductor layer is disposed on the first nitride semiconductor layer. The gate structure (61) is disposed on the second nitride semiconductor layer. The first spacer is disposed adjacent to a first surface of the gate structure (61). The second spacer is disposed adjacent to a second surface of the gate structure (61). The drain electrode (63) is disposed relatively adjacent to the second spacer than the first spacer. The first spacer has a first length, and the second spacer has a second length greater than the first length along the first direction.
(FR) L'invention concerne des structures de dispositif à semi-conducteur (1a, 1b, 1c, 1d) et ses procédés de fabrication. La structure de dispositif à semi-conducteur (1a, 1b, 1c, 1d) comprend un substrat (10), une première couche semi-conductrice au nitrure, une seconde couche semi-conductrice au nitrure, une structure de grille (61), un premier espaceur, un second espaceur et une électrode de drain (63). La première couche semi-conductrice au nitrure est disposée sur le substrat (10). La seconde couche semi-conductrice au nitrure est disposée sur la première couche semi-conductrice au nitrure. La structure de grille (61) est disposée sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le premier espaceur est disposé adjacent à une première surface de la structure de grille (61). Le second espaceur est disposé de manière adjacente à une seconde surface de la structure de grille (61). L'électrode de drain (63) est disposée relativement adjacente au second espaceur que le premier espaceur. Le premier espaceur a une première longueur, et le second espaceur a une seconde longueur supérieure à la première longueur le long de la première direction.
