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1. WO2022126308 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Publication Number WO/2022/126308
Publication Date 23.06.2022
International Application No. PCT/CN2020/136044
International Filing Date 14.12.2020
IPC
H01L 29/778 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76Unipolar devices
772Field-effect transistors
778with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT
Applicants
  • INNOSCIENCE (SUZHOU) TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • ZHANG, Anbang
  • WONG, King Yuen
Agents
  • IDEA INTELLECTUAL (SHENZHEN) IP AGENCY
Priority Data
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract
(EN) A semiconductor device includes a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, a gate structure, a first spacer and a second spacer. The second nitride semiconductor layer is formed on the first nitride semiconductor layer and having a greater bandgap than that of the first nitride semiconductor layer. The gate structure is disposed on the second nitride semiconductor layer. The first spacer is disposed on the second nitride semiconductor layer. The second spacer is disposed on the second nitride semiconductor layer and spaced apart from the first spacer by the gate structure. The bottom of the first spacer has a first width, the bottom of the second spacer has a second width, and the first width is different from the second width.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend une première couche semi-conductrice au nitrure, une seconde couche semi-conductrice au nitrure, une structure de grille, un premier espaceur et un second espaceur. La seconde couche semi-conductrice au nitrure est formée sur la première couche semi-conductrice au nitrure et présente une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice au nitrure. La structure de grille est disposée sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le premier espaceur est disposé sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le second espaceur est disposé sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure et espacé du premier espaceur au moyen de la structure de grille. La partie inférieure du premier espaceur présente une première largeur, la partie inférieure du second espaceur présente une seconde largeur, et la première largeur est différente de la seconde largeur.
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