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1. WO2021112191 - SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Publication Number WO/2021/112191
Publication Date 10.06.2021
International Application No. PCT/JP2020/045089
International Filing Date 03.12.2020
IPC
H01S 5/042 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042Electrical excitation
H01S 5/22 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave
22having a ridge or a stripe structure
Applicants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
Inventors
  • 深町 俊彦 FUKAMACHI Toshihiko
Agents
  • 小西 恵 KONISHI Kay
  • 永岡 重幸 NAGAOKA Shigeyuki
Priority Data
2019-21893303.12.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ素子
Abstract
(EN)
Provided is a semiconductor laser element for which the scope of application of a laser structure is broad and in which sufficient heat dissipation is ensured. The semiconductor laser element comprises: a semiconductor laminate in which are laminated a plurality of semiconductor layers including a first electrically conductive semiconductor layer, an active layer, and a second electrically conductive semiconductor layer in the stated order; an insulation layer in which, of the entire region of the side opposite from the active-layer side of the first electrically conductive semiconductor layer, an injection range within which carriers can be injected is reserved extending along the oscillation direction of light in the active layer, the insulation layer being laminated on said opposite side; a plurality of first electrodes that are ohmic with respect to the first electrically conductive semiconductor layer and are each connected to the injection range, the first electrodes being mutually separated in the oscillation direction at least within the injection range, and including a main electrode and a sub-electrode for which the connection area with the injection range is smaller than that of the main electrode; and a second electrode that is connected to each of the plurality of first electrode and is non-ohmic with respect to the first electrically conductive semiconductor layer.
(FR)
L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur pour lequel la portée d'application d'une structure laser est large et dans laquelle une dissipation de chaleur suffisante est garantie. L'élément laser à semi-conducteur comprend : un stratifié semi-conducteur dans lequel sont stratifiées une pluralité de couches semi-conductrices comprenant une première couche semi-conductrice électriquement conductrice, une couche active et une seconde couche semi-conductrice électriquement conductrice dans l'ordre indiqué ; une couche d'isolation dans laquelle, de toute la zone du côté opposé au côté de la couche active de la première couche semi-conductrice électriquement conductrice, une plage d'injection à l'intérieur de laquelle des porteurs peuvent être injectés est réservée s'étendant le long de la direction d'oscillation de la lumière dans la couche active, la couche d'isolation étant stratifiée sur ledit côté opposé ; une pluralité de premières électrodes qui sont ohmiques par rapport à la première couche semi-conductrice électriquement conductrice et sont chacune connectées à la plage d'injection, les premières électrodes étant mutuellement séparées dans la direction d'oscillation au moins dans la plage d'injection, et comprenant une électrode principale et une sous-électrode pour laquelle la zone de connexion avec la plage d'injection est inférieure à celle de l'électrode principale ; et une seconde électrode qui est connectée à chacune de la pluralité de premières électrodes et est non ohmique par rapport à la première couche semi-conductrice électriquement conductrice.
(JA)
レーザ構造の適用範囲が広く、十分な放熱性も確保された半導体レーザ素子を提供する。 半導体レーザ素子は、第1導電型半導体層、活性層、および第2導電型半導体層をこの順で含んだ複数の半導体層が積層された半導体積層体と、前記第1導電型半導体層の、前記活性層側とは逆側の全領域のうち、前記活性層における光の発振方向に沿って延びていてキャリアが注入可能な注入範囲を残して当該逆側に対して積層された絶縁層と、前記第1導電型半導体層に対してオーミックとなって前記注入範囲に各々が接続され、少なくとも当該注入範囲内では互いに前記発振方向に分離し、主電極と当該主電極よりも当該注入範囲との接続面積が小さい副電極とを含んだ複数の第1電極と、前記複数の第1電極のそれぞれに接続され、前記第1導電型半導体層に対して非オーミックとなる第2電極と、を備える。
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