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1. WO2021112187 - BONDED SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED SUBSTRATE

Publication Number WO/2021/112187
Publication Date 10.06.2021
International Application No. PCT/JP2020/045073
International Filing Date 03.12.2020
IPC
C04B 37/02 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME; MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
37Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
02with metallic articles
B23K 1/00 2006.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
1Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
H01L 23/13 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
13characterised by the shape
H01L 23/14 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
H05K 3/38 2006.01
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Applicants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 海老ヶ瀬 隆 EBIGASE Takashi
  • 増田 いづみ MASUDA Izumi
  • 賀來 健 KAKU Takeshi
Agents
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
  • 中尾 和樹 NAKAO Kazuki
  • 喜多 弘行 KITA Hiroyuki
Priority Data
PCT/JP2019/04711703.12.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) BONDED SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT LIÉ ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT LIÉ
(JA) 接合基板及び接合基板の製造方法
Abstract
(EN)
The present invention provides a bonded substrate which has improved adhesive strength between a silicon nitride ceramic substrate and a bonding layer, has high thermal shock resistance, and is not susceptible to migration. The bonded substrate comprises a silicon nitride ceramic substrate, a copper plate, a bonding layer, and penetration regions. The copper plate and bonding layer are disposed on a main surface of the silicon nitride ceramic substrate by being patterned in a predetermined shape. The bonding layer bonds the copper plate onto the main surface of the silicon nitride ceramic substrate. Each penetration region is formed from one or a plurality of penetration parts penetrating into the interior of the silicon nitride ceramic substrate to a depth of 3 to 20 μm continuously from the substrate main surface. The penetration regions also contain silver, and 1 to 30 penetration regions are present per 1 mm2 of the substrate main surface.
(FR)
La présente invention concerne un substrat lié caractérisé par une force d'adhérence améliorée entre un substrat céramique en nitrure de silicium et une couche de liaison, qui présente une résistance aux chocs thermiques élevée et ne présente pas de risque de migration. Le substrat lié comprend un substrat céramique en nitrure de silicium, une plaque de cuivre, une couche de liaison et des zones de pénétration. La plaque de cuivre et la couche de liaison sont disposées sur une surface principale du substrat céramique en nitrure de silicium par formation d'un motif présentant une forme prédéterminée. La couche de liaison lie la plaque de cuivre à la surface principale du substrat céramique en nitrure de silicium. Chaque zone de pénétration est formée d'une ou d'une pluralité de parties de pénétration pénétrant à l'intérieur du substrat céramique en nitrure de silicium jusqu'à une profondeur de 3 à 20 µm de façon continue à partir de la surface principale du substrat. Les zones de pénétration contiennent également de l'argent, et 1 à 30 zones de pénétration sont présentes pour 1 mm2 de la surface principale du substrat.
(JA)
窒化ケイ素セラミックス基板と接合層との密着強度を向上し、高い冷熱耐久性を有する一方でマイグレーションの生じない接合基板を得る。接合基板は、窒化ケイ素セラミックス基板、銅板、接合層及び入り込み領域を備える。銅板及び接合層は、所定の形状にパターニングされて窒化ケイ素セラミックス基板の主面上に配置される。接合層は、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板の主面に接合する。入り込み領域は、基板主面から連続して3μm以上20μm以下の深さまで窒化ケイ素セラミックス基板の内部に入り込む一または複数の入り込み部からなり、銀を含み、基板主面の1mmあたりに1個以上30個以下存在する。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau