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1. WO2021146473 - INTEGRATED SENSOR FOR LIFETIME CHARACTERIZATION

Publication Number WO/2021/146473
Publication Date 22.07.2021
International Application No. PCT/US2021/013501
International Filing Date 14.01.2021
IPC
H01L 27/146 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
Applicants
  • QUANTUM-SI INCORPORATED [US]/[US]
Inventors
  • WEBSTER, Eric, A.G.
  • CHOI, Changhoon
  • YANG, Dajiang
  • REARICK, Todd
  • PRESTON, Kyle
  • KABIRI, Ali
  • SCHMID, Gerard
  • WANG, Xin
Agents
  • PRITZKER, Randy J.
  • ALAM, Saad
  • AMUNDSEN, Eric, L.
  • BAKER, C.hunter
  • ATTISHA, Michael, J.
Priority Data
62/961,13314.01.2020US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) INTEGRATED SENSOR FOR LIFETIME CHARACTERIZATION
(FR) CAPTEUR INTÉGRÉ POUR CARACTÉRISATION DE DURÉE DE VIE
Abstract
(EN)
Aspects of the technology described herein relate to improved semiconductor-based image sensor designs. In some embodiments, an integrated circuit may comprise a photodetection region and a drain region electrically coupled to the photodetection region, and the photodetection region may be configured to induce an intrinsic electric field in a direction from the photodetection region to the drain region(s). In some embodiments, a charge storage region and the drain region may be positioned on a same side of the photodetection region. In some embodiments, at least one drain layer may be configured to receive incident photons and/or charge carriers via the photodetection region. In some embodiments, an integrated circuit may comprise a plurality of pixels and a control circuit configured to control a transfer of charge carriers in the plurality of pixels.
(FR)
Des aspects de la technologie décrits ici concernent des conceptions améliorées de capteur d'image basé sur un semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, un circuit intégré peut comprendre une région de photodétection et une région de drain électriquement accouplée à la région de photodétection, la région de photodétection pouvant être conçue pour induire un champ électrique intrinsèque dans une direction allant de la région de photodétection à la région de drain. Dans certains modes de réalisation, une région de stockage de charge et la région de drain peuvent être positionnées sur un même côté de la région de photodétection. Dans certains modes de réalisation, au moins une couche de drain peut être conçue pour recevoir des photons incidents et/ou des porteurs de charge par l'intermédiaire de la région de photodétection. Dans certains modes de réalisation, un circuit intégré peut comprendre une pluralité de pixels et un circuit de commande conçu pour commander un transfert de porteurs de charge dans la pluralité de pixels.
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