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1. WO2021142817 - MAGNETIC MEMORY

Publication Number WO/2021/142817
Publication Date 22.07.2021
International Application No. PCT/CN2020/072929
International Filing Date 19.01.2020
IPC
H01L 27/22 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effect; using similar magnetic field effects
H01L 43/00 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants
  • 北京航空航天大学 BEIHANG UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventors
  • 赵巍胜 ZHAO, Weisheng
  • 熊丹荣 XIONG, Danrong
  • 彭守仲 PENG, Shouzhong
Agents
  • 北京三友知识产权代理有限公司 BEIJING SANYOU INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(ZH) 磁存储器
Abstract
(EN)
Provided in the present invention is a magnetic memory, comprising: a first anti-ferromagnetic layer used for providing an exchange bias field; an insertion layer arranged on the anti-ferromagnetic layer and used for blocking diffusion of the material of the first anti-ferromagnetic layer during an annealing process; a free ferromagnetic layer structure arranged on the insertion layer; a first barrier layer arranged on the free ferromagnetic layer structure; and a reference ferromagnetic layer structure arranged on the first barrier layer and having a fixed magnetisation direction; the magnetisation direction of the free ferromagnetic layer structure is parallel or anti-parallel to the magnetisation direction of the reference ferromagnetic layer structure. The present invention has a high annealing temperature, and is compatible with CMOS post thermal treatment processes.
(FR)
La présente invention concerne une mémoire magnétique, comprenant : une première couche antiferromagnétique utilisée pour fournir un champ de polarisation d'échange ; une couche d'insertion disposée sur la couche antiferromagnétique et utilisée pour bloquer la diffusion du matériau de la première couche antiferromagnétique pendant un processus de recuit ; une structure de couche ferromagnétique libre disposée sur la couche d'insertion ; une première couche barrière disposée sur la structure de couche ferromagnétique libre ; et une structure de couche ferromagnétique de référence disposée sur la première couche barrière et ayant une direction de magnétisation fixe ; la direction de magnétisation de la structure de couche ferromagnétique libre est parallèle ou antiparallèle à la direction de magnétisation de la structure de couche ferromagnétique de référence. L'invention présente une température de recuit élevée, et est compatible avec des processus post-traitement thermique CMOS.
(ZH)
本发明提供一种磁存储器,包括:第一反铁磁层,用于提供交换偏置场;插入层,设置在反铁磁层上,用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散;自由铁磁层结构,设置在插入层上;第一势垒层,设置在自由铁磁层结构上;参考铁磁层结构,设置在第一势垒层上,具有固定的磁化方向;其中,自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。本发明具有退火温度高的特点,可以兼容CMOS后期热处理工艺。
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