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1. WO2022160149 - THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE

Publication Number WO/2022/160149
Publication Date 04.08.2022
International Application No. PCT/CN2021/074058
International Filing Date 28.01.2021
IPC
H01L 29/786 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76Unipolar devices
772Field-effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin-film transistors
Applicants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 黄杰 HUANG, Jie
  • 贺家煜 HE, Jiayu
  • 宁策 NING, Ce
  • 李正亮 LI, Zhengliang
  • 胡合合 HU, Hehe
  • 刘凤娟 LIU, Fengjuan
  • 姚念琦 YAO, Nianqi
  • 赵坤 ZHAO, Kun
  • 周天民 ZHOU, Tianmin
  • 王久石 WANG, Jiushi
  • 田忠朋 TIAN, Zhongpeng
Agents
  • 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 BEIJING SAN GAO YONG XIN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
Abstract
(EN) The present invention relates to the technical field of display, and relates to a thin film transistor and a manufacturing method therefor, an array substrate, and a display device. An active layer of the thin film transistor comprises at least two layers of metal oxide semiconductor layers which are stacked; the at least two layers of oxide semiconductor layers comprise a channel layer and a first protective layer; metal in the metal oxide semiconductor layer in the channel layer comprises a tin element, and at least one of an indium element, a gallium element and a zinc element. The first protective layer comprises a praseodymium element, and the praseodymium element in the first protective layer is used for absorbing photogenerated electrons in the metal oxide semiconductor and reducing a photogenerated current caused by illumination. The thin film transistor has high stability and high mobility.
(FR) La présente invention concerne le domaine technique de l'affichage et concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat matriciel et un dispositif d'affichage. Une couche active du transistor à couches minces comprend au moins deux couches de couches semi-conductrices d'oxyde métallique qui sont empilées ; lesdites deux couches de couches semi-conductrices d'oxyde comprennent une couche de canal et une première couche de protection ; le métal dans la couche de semi-conducteur à oxyde métallique dans la couche de canal comprend un élément en étain, et un élément en indium et/ou un élément en gallium et/ou un élément en zinc. La première couche de protection comprend un élément en praséodyme, l'élément en praséodyme dans la première couche de protection étant utilisé pour absorber des électrons photogénérés dans le semi-conducteur à oxyde métallique et réduire un courant photogénéré provoqué par l'éclairage. Le transistor à couches minces présente une stabilité et une mobilité élevées.
(ZH) 本公开是关于一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。薄膜晶体管的有源层包括层叠的至少两层金属氧化物半导体层,至少两层氧化物半导体层包括沟道层和第一保护层,沟道层中的金属氧化物半导体层中的金属包含锡元素,以及包含铟元素、镓元素、锌元素中的至少一种。第一保护层包含镨元素,第一保护层中的镨元素用于吸收金属氧化物半导体中的光生电子,降低光照引起的光生电流。该薄膜晶体管的稳定性高且迁移率高。
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