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1. WO2022160115 - SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE

Publication Number WO/2022/160115
Publication Date 04.08.2022
International Application No. PCT/CN2021/073926
International Filing Date 27.01.2021
IPC
H01L 27/32 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes
Applicants
  • HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • MASATAKA, Kano
Priority Data
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract
(EN) Embodiments of the present application provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for implementing both polysilicon TFTs and oxide TFTs with less process complication. The semiconductor device includes first and second thin film transistor structures formed on a substrate. The first TFT structure includes a first transistor and a capacitor on the first transistor, and the second TFT structure includes a bottom metal layer, a second insulating layer on the bottom metal layer, and a second transistor on the second insulating layer. A lower electrode of the capacitor comprises the same metal material as the bottom metal layer, a dielectric layer of the capacitor comprises the same insulator material as the second insulating layer, and the upper electrode of the capacitor comprises the same oxide semiconductor material as a semiconductor active layer of the second transistor.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente demande concerne un dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication permettant de mettre en œuvre des TFT en polysilicium et des TFT en oxyde avec moins de complications de traitement. Le dispositif à semi-conducteurs comprend des première et seconde structures de transistor à couches minces formées sur un substrat. La première structure de TFT comprend un premier transistor et un condensateur sur le premier transistor, et la seconde structure de TFT comprend une couche métallique inférieure, une seconde couche isolante sur la couche métallique inférieure, et un second transistor sur la seconde couche isolante. Une électrode inférieure du condensateur comprend le même matériau métallique que la couche métallique inférieure, une couche diélectrique du condensateur comprend le même matériau isolant que la seconde couche isolante, et l'électrode supérieure du condensateur comprend le même matériau semi-conducteur en oxyde que la couche active semi-conductrice du second transistor.
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