(EN) A semiconductor structure and a method for forming same, the semiconductor structure comprising: a substrate, which comprises a device unit region and an isolation region located on the periphery of the device unit region; an isolation structure, located within the substrate in the isolation region; a device gate structure, located on the substrate in the device unit region; and a source/drain doped layer, which is embedded into the substrate in the device unit region on two sides of the device gate structure, wherein the source/drain doped layer comprises a source/drain body layer, and the sidewall of the source/drain body layer located on the edge of the device unit region is spaced apart from the isolation structure. In the semiconductor structure of embodiments of the present invention, the sidewall of the source/drain body layer located on the edge of the device unit region is spaced apart from the isolation structure, such that the sidewall of the source/drain body layer located on the edge of the device unit region is not in contact with the isolation structure, which is beneficial to preventing doped ions in the source/drain body layer from diffusing into the isolation structure, and thus is beneficial to preventing an increase in the extension resistance of a device, thereby improving the length of diffusion (LOD) effect, and improving the performance of the semiconductor structure.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation, la structure semi-conductrice comprenant : un substrat, qui comprend une région d'unité de dispositif et une région d'isolation située sur la périphérie de la région d'unité de dispositif; une structure d'isolation, située à l'intérieur du substrat dans la région d'isolation; une structure de grille de dispositif, située sur le substrat dans la région d'unité de dispositif; et une couche dopée de source/drain, qui est incorporée dans le substrat dans la région d'unité de dispositif sur deux côtés de la structure de grille de dispositif, la couche dopée de source/drain comprenant une couche de corps de source/drain, et la paroi latérale de la couche de corps de source/drain située sur le bord de la région d'unité de dispositif est espacée de la structure d'isolation. Dans la structure semi-conductrice de modes de réalisation de la présente invention, la paroi latérale de la couche de corps de source/drain située sur le bord de la région d'unité de dispositif est espacée de la structure d'isolation, de telle sorte que la paroi latérale de la couche de corps de source/drain située sur le bord de la région d'unité de dispositif n'est pas en contact avec la structure d'isolation, qui est bénéfique pour empêcher des ions dopés dans la couche de corps de source/drain de se diffuser dans la structure d'isolation, et donc est bénéfique pour empêcher une augmentation de la résistance à l'extension d'un dispositif, ce qui permet d'améliorer la longueur d'effet de diffusion (LOD) et améliorer les performances de la structure semi-conductrice.
(ZH) 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，包括器件单元区和位于器件单元区外周的隔离区；隔离结构，位于隔离区的基底内；器件栅极结构，位于器件单元区的基底上；源漏掺杂层，嵌入于器件栅极结构两侧器件单元区的基底内，源漏掺杂层包括源漏主体层，且位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间相间隔。本发明实施例的半导体结构中，位于器件单元区边缘的源漏主体层侧壁与隔离结构之间相间隔，从而位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间未相接触，有利于防止源漏主体层中的掺杂离子向隔离结构中扩散，进而有利于防止器件的延伸（Extension）电阻升高的问题、改善扩散区长度（LOD）效应，提升了半导体结构的性能。
