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1. WO2022160091 - MEMORY SUB-SYSTEM MANAGEMENT BASED ON DYNAMIC CONTROL OF WORDLINE START VOLTAGE

Publication Number WO/2022/160091
Publication Date 04.08.2022
International Application No. PCT/CN2021/073765
International Filing Date 26.01.2021
IPC
G11C 16/14 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
Applicants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventors
  • WU, Jiangang
  • ZHOU, Lei
  • HOEI, Jung Sheng
  • MUCHHERLA, Kishore Kumar
  • LIN, Qisong
Agents
  • LEE AND LI - LEAVEN IPR AGENCY LTD.
Priority Data
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) MEMORY SUB-SYSTEM MANAGEMENT BASED ON DYNAMIC CONTROL OF WORDLINE START VOLTAGE
(FR) GESTION DE SOUS-SYSTÈME DE MÉMOIRE SUR LA BASE D'UNE COMMANDE DYNAMIQUE DE TENSION DE DÉBUT DE LIGNE DE MOTS
Abstract
(EN) A request to perform a write operation at a memory device is received. Current wordline start voltage (WLSV) information associated with a particular memory segment of the plurality of memory segments is retrieved. The write operation is performed on the particular memory segment. In a firmware record in a memory sub-system controller, information is stored indicative of a last written memory page associated with the particular memory segment on which the write operation is performed. The firmware record is managed in view of the information indicative of the last written memory page associated with the performed write operation. Each entry of the the firmware record comprises one or more identifying indicia associated with a respective memory segment, at least one of the identifying indicia being a wordline start voltage (WLSV) associated with the respective memory segment.
(FR) Une demande pour effectuer une opération d'écriture au niveau d'un dispositif de mémoire est reçue. Des informations de tension de début de ligne de mots (WLSV) courantes associées à un segment de mémoire particulier de la pluralité de segments de mémoire sont récupérées. L'opération d'écriture est effectuée sur le segment de mémoire particulier. Dans un enregistrement de micrologiciel dans un contrôleur de sous-système de mémoire, des informations sont stockées indiquant une dernière page de mémoire écrite associée au segment de mémoire particulier sur lequel l'opération d'écriture est effectuée. L'enregistrement de micrologiciel est géré au vu des informations indiquant la dernière page de mémoire écrite associée à l'opération d'écriture effectuée. Chaque entrée de l'enregistrement de micrologiciel comprend un ou plusieurs indices d'identification associés à un segment de mémoire respectif, au moins l'un des indices d'identification étant une tension de début de ligne de mots (WLSV) associée au segment de mémoire respectif.
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