(EN) The present disclosure provides a semiconductor device and a fabrication method thereof. The semiconductor device includes a substrate, a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, and a carbonitride semiconductor layer. The first nitride semiconductor layer is over the substrate. The second nitride semiconductor layer is formed on the first nitride semiconductor layer and has a greater bandgap than that of the first nitride semiconductor layer. The carbonitride semiconductor layer is between the substrate and the first nitride semiconductor layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat, une première couche semi-conductrice au nitrure, une seconde couche semi-conductrice au nitrure et une couche semi-conductrice de carbonitrure. La première couche semi-conductrice au nitrure est sur le substrat. La seconde couche semi-conductrice au nitrure est formée sur la première couche semi-conductrice au nitrure et présente une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice au nitrure. La couche semi-conductrice de carbonitrure est située entre le substrat et la première couche semi-conductrice au nitrure.