Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2021109740 - ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE, ATOMIZATION CORE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Document

说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17  

附图

1   2   3   4   5   6   7   8  

说明书

发明名称 : 电子雾化装置、雾化芯及其制备方法

【技术领域】

[0001]
本发明涉及电子烟技术领域,具体涉及一种电子雾化装置、雾化芯及其制备方法。

【背景技术】

[0002]
电子烟具有与香烟相似的外观和味道,但一般不含香烟中的焦油、悬浮微粒等其它有害成分,大大减少了对使用者身体的危害,因而多作为香烟的替代品,用于戒烟。电子烟的安全性是其首要考虑的因素。
[0003]
目前,在抽吸过程中,电子烟的雾化芯由于反复热循环和烟油侵蚀,难免会存在掉粉的风险;另外,高温环境下的雾化芯,其内部重金属及发热膜内重金属会在抽吸时被带入气流,这些均会给用户健康带来安全隐患。
[0004]
【发明内容】
[0005]
本发明提供一种电子雾化装置、雾化芯及其制备方法,以解决现有技术中雾化芯掉粉及重金属吸出的技术问题。
[0006]
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种电子雾化装置的雾化芯,包括:多孔陶瓷基材、陶瓷覆盖层及发热膜,所述陶瓷覆盖层结合于所述多孔陶瓷基材的表面,所述发热膜结合于所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面,所述陶瓷覆盖层的孔隙率低于所述多孔陶瓷基材的孔隙率,所述陶瓷覆盖层上形成有多个贯穿的孔洞。
[0007]
可选地,所述多孔陶瓷基材的孔隙率为40%-80%;和/或所述多孔陶瓷基材上的微孔的平均孔径为10μm-40μm;和/或用于形成所述多孔陶瓷基材的材料为氧化锆、氧化硅、氧化铝或莫来石;和/或所述多孔陶瓷基材的厚度为1-4mm。
[0008]
可选地,所述陶瓷覆盖层的孔隙率为10%-20%;和/或用于形成所述陶瓷覆盖层的材料为氧化锆、氧化硅、氧化铝、碳化硅或莫来石;和/或所述陶瓷覆盖层的厚度为0.05-0.2mm;和/或用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm。
[0009]
可选地,每一所述孔洞的直径为5-50μm。
[0010]
可选地,多个所述孔洞的开口的面积之和占所述陶瓷覆盖层垂直于所述孔洞的延伸方向的横截面的面积的比例为5%-15%。
[0011]
可选地,用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm。
[0012]
可选地,所述发热膜由金属或者合金制成;和/或所述发热膜的厚度为2-10μm。
[0013]
可选地,所述发热膜包括第一覆盖膜和第二覆盖膜;其中,所述第一覆盖膜层叠设置于所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面,所述第二覆盖膜层叠设置于所述第一覆盖膜远离所述陶瓷覆盖层的表面。
[0014]
可选地,所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜为金属或合金。
[0015]
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种电子雾化装置的雾化芯的制备方法,所述制备方法包括:制备多孔陶瓷基材;制备陶瓷覆盖层,并在所述陶瓷覆盖层上形成多个贯穿所述陶瓷覆盖层的孔洞,其中,所述陶瓷覆盖层的孔隙率低于所述多孔陶瓷基材的孔隙率;将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层层叠设置并结合成一体结构;和在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜。
[0016]
可选地,所述制备多孔陶瓷基材的步骤包括:将用于形成多孔陶瓷基材的原材料制成第一流延浆料;通过流延工艺制成所述多孔陶瓷基材,所述多孔陶瓷基材的厚度为1-4mm。
[0017]
可选地,所述制备陶瓷覆盖层的步骤包括:将用于形成陶瓷覆盖层的原材料制成第二流延浆料,用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm;通过流延工艺或者干压工艺制成所述陶瓷覆盖层,所述陶瓷覆盖层的厚度为0.05-0.2mm。
[0018]
可选地,所述将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层层叠设置并结 合成一体结构的步骤包括:通过粘接或烧结的方式将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层进行连接。
[0019]
可选地,所述在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜的步骤包括:采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成所述发热膜,所述发热膜的厚度为2-10μm。
[0020]
可选地,所述在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜的步骤包括:采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成第一覆盖膜;采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述第一覆盖膜远离所述陶瓷覆盖层的表面形成第二覆盖膜;所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜形成发热膜。
[0021]
可选地,所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜为金属或合金。
[0022]
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种电子雾化装置,所述电子雾化装置包括用于存储烟液的储液腔和根据前文所述的雾化芯,所述储液腔中的烟液能够经所述多孔陶瓷基材传递至所述陶瓷覆盖层。
[0023]
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明实施例通过在多孔陶瓷基材的靠近发热元件的表面上结合一孔隙率低于多孔陶瓷基材的陶瓷覆盖层,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层致密度更高不存在掉粉现象,故而可以防止雾化芯发生掉粉的现象;而且,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层可以隔绝多孔陶瓷基材内部重金属的析出,故而可以防止重金属在抽吸时被带入气流,从而提升电子雾化装置的安全性能。

【附图说明】

[0024]
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
[0025]
图1是本发明一实施例中的雾化芯的剖视结构示意图;
[0026]
图2是图1中的雾化芯沿I-I方向截取后的剖视结构示意图;
[0027]
图3是本发明另一实施例中的雾化芯的剖视结构局部放大示意图;
[0028]
图4是本发明一实施例中的雾化芯的制备方法的流程示意图;
[0029]
图5是与图4中的制作流程对应的加工工艺流程示意图;
[0030]
图6是图4中的步骤S105的流程示意图;
[0031]
图7是本发明另一实施例中的雾化芯的制备方法的流程示意图;
[0032]
图8是与图7中的制作流程对应的加工工艺流程示意图。

【具体实施方式】

[0033]
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0034]
请参阅图1,图1是本实用新型一实施例中的雾化芯的剖视结构示意图。本实用新型提供一种电子雾化装置的雾化芯100,该雾化芯100包括多孔陶瓷基材10、陶瓷覆盖层20及发热膜30。陶瓷覆盖层20结合于多孔陶瓷基材10的表面,发热膜30结合于陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面,陶瓷覆盖层20的孔隙率低于多孔陶瓷基材10的孔隙率,陶瓷覆盖层20上形成有多个贯穿的孔洞21。
[0035]
其中,孔隙率是指多孔介质内的微小空隙的总体积与该多孔介质的总体积的比值。陶瓷覆盖层20结合于多孔陶瓷基材10的表面具体是指,陶瓷覆盖层20结合于多孔陶瓷基材10的靠近发热元件的表面,以避免多孔陶瓷基材10直接与发热元件接触。如图1所示,在本实施例中,陶瓷覆盖层20结合于多孔陶瓷基材10的上表面上。
[0036]
本实用新型实施例通过在多孔陶瓷基材10的靠近发热元件的表面上结合一孔隙率低于多孔陶瓷基材10的陶瓷覆盖层20,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层20致密度更高不存在掉粉现象,故而可以防止雾化芯 100发生掉粉的现象;而且,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层20可以隔绝多孔陶瓷基材10内部重金属的析出,故而可以防止重金属在抽吸时被带入气流,从而提升电子雾化装置的安全性能。
[0037]
可选地,用于形成多孔陶瓷基材10的材料可以为氧化锆、氧化硅、氧化铝或莫来石等,用于形成陶瓷覆盖层20的材料可以为氧化锆、氧化硅、氧化铝、碳化硅或莫来石等。其中,多孔陶瓷基材10的材料可以与陶瓷覆盖层20的材料的种类相同也可以不同,本实用新型实施例不对多孔陶瓷基材10的材料和陶瓷覆盖层20的材料的种类进行限定。
[0038]
可选地,多孔陶瓷基材10的孔隙率可以为40%-80%。孔隙率的大小可以根据烟液的成分来调整,例如当烟液的粘稠度较大时,选用较高的孔隙率,以保证导液效果。
[0039]
在本实施例中,多孔陶瓷基材10的孔隙率为50-60%。通过将多孔陶瓷基材10的孔隙率控制在50-60%,一方面可以保障多孔陶瓷基材10具有较好的导液效率,防止出现烟液流通不畅而发生干烧的现象,以提升雾化效果。另一方面,可以避免多孔陶瓷基材10导液过快,难以锁液,导致漏液的概率大增。
[0040]
可选地,多孔陶瓷基材10上的微孔的平均孔径为10μm-40μm。例如,可以为10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm或者40μm等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0041]
以上可选实施例,通过设置大小合适,分布均匀的微孔的孔径,可以使得多孔陶瓷基材10导液均匀,雾化效果更好。
[0042]
可选地,多孔陶瓷基材10的厚度为1-4mm。其中,多孔陶瓷基材10的厚度指的是多孔陶瓷基材10沿多孔陶瓷基材10与陶瓷覆盖层20的层叠方向的长度。在本实施例中,多孔陶瓷基材10与陶瓷覆盖层20的层叠方向为图1中所示的X方向,多孔陶瓷基材10在X方向上的厚度H为1-4mm。通过设置厚度适宜的多孔陶瓷基材10,可以缩短导液路径,使得下液顺畅;另一方面也可以避免出现干烧的现象。
[0043]
可选地,多孔陶瓷基材10在X方向上的厚度H可以为1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm或者4mm等,本实用新型实施例不做具 体限定。
[0044]
可选地,陶瓷覆盖层20的孔隙率为10%-20%。在同一雾化芯100中,陶瓷覆盖层20的孔隙率低于多孔陶瓷基材10的孔隙率,进而在多孔陶瓷基材10的表面形成致密的陶瓷覆盖层20。在一实施例中,陶瓷覆盖层20的孔隙率可为10-18%、10-16%、10-14%、10-12%、12-18%、12-16%、12-14%、14-16%、14-18%或者16-18%等。在另一实施例中,多孔陶瓷基材10的孔隙率为50-60%,而陶瓷覆盖层20的孔隙率为14-16%。
[0045]
可选地,陶瓷覆盖层20的厚度为0.05-0.2mm。其中,陶瓷覆盖层20的厚度指的是陶瓷覆盖层20沿多孔陶瓷基材10与陶瓷覆盖层20的层叠方向的长度。在本实施例中,多孔陶瓷基材10与陶瓷覆盖层20的层叠方向为图1中所示的X方向,陶瓷覆盖层20在X方向上的厚度R为0.05-0.2mm。例如,陶瓷覆盖层20在X方向上的厚度R可以为0.05mm、0.07mm、0.09mm、0.11mm、0.13mm、0.15mm、0.17mm或者0.2mm等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0046]
可选地,用于形成陶瓷覆盖层20的材料的粉末粒度为0.1-5μm。其中,粉末粒度也称颗粒粒度,指颗粒占据空间的尺度。对于一个球形颗粒,粉末粒度是单一的参数:直径D。对于一个形状不规则的颗粒,粉末粒度可以用投影高度H(任意)、最大长度M、水平宽度W、相等体积球的直径或具有相等表面积球的直径D来表达。
[0047]
可选地,用于形成陶瓷覆盖层20的材料的粉末粒度可以为0.1μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm或者4μm等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0048]
以上可选实施例,通过设置厚度适宜的陶瓷覆盖层20、大小合适且分布均匀的微孔的孔径以及粉末粒度较小的原材料,可以使得陶瓷覆盖层20能够有效隔绝重金属的吸出。
[0049]
进一步地,如图1和图2所示,图2是图1中的雾化芯沿I-I方向截取后的剖视结构示意图。形成于陶瓷覆盖层20上的每一孔洞21的直径为5-50μm。例如,孔洞21的直径可以为5μm、10μm、15μm、20μm、 25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或者50μm等,本实用新型实施例不做具体限定。需要说明的是,陶瓷覆盖层20上的孔洞21并不属于多孔介质内的微小空隙,孔洞21的存在不影响陶瓷覆盖层20的孔隙率;换句话说,陶瓷覆盖层20的孔隙率与陶瓷覆盖层20上形成的多个孔洞21无关。
[0050]
具体地,在陶瓷覆盖层20上形成有多个孔洞21,每一孔洞21均沿多孔陶瓷基材10与陶瓷覆盖层20的层叠方向贯穿陶瓷覆盖层20。通过在陶瓷覆盖层20上形成多个贯穿的孔洞21,可以便于陶瓷覆盖层20进行导液。
[0051]
可选地,形成于同一陶瓷覆盖层20上的多个孔洞21的直径可以相等,也可以不等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0052]
其中,在本实施例中,如图2所示,多个孔洞21阵列排布在陶瓷覆盖层20上。在另一实施例中,多个孔洞21还可以呈环形分布,本实用新型实施例不对多个孔洞21的排布方式进行具体限定。
[0053]
可选地,在本实施例中,形成在陶瓷覆盖层20上的孔洞21为圆形孔。在其它的实施例中,孔洞21的形状还可以为矩形、椭圆形、三角形、菱形以及规则或者不规则多边形孔等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0054]
进一步地,多个孔洞21的开口的面积之和占陶瓷覆盖层20垂直于孔洞21的延伸方向的横截面的面积的比例为5%-15%。例如,多个孔洞21的开口的面积之和占陶瓷覆盖层20垂直于孔洞21的延伸方向的横截面的面积的比例可为5-12%、5-10%、5-8%、7-12%、7-10%、9-12%、10-12%、7-15%、9-15%、12-15%或者14-15%等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0055]
具体地,在本实施例中,如图1所示,孔洞21的延伸方向为圆形孔的轴线方向,圆形孔的轴线方向与X方向平行。故而,陶瓷覆盖层20垂直于孔洞21的延伸方向的横截面指的是陶瓷覆盖层20垂直于X方向的横截面,即,如图2中所示的横截面。多个孔洞21的开口的面积之和即是指图中所示的空白区域的面积,多个孔洞21的开口的面积 之和占陶瓷覆盖层20垂直于孔洞21的延伸方向的横截面的面积的比例即是指,图2中的空白区域的面积占整个横截面的面积的比例。
[0056]
进一步地,如图1所示,发热膜30结合于陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面,发热膜30用于与电极电连接,并用于发热以雾化烟液。
[0057]
可选地,发热膜30的厚度可以为2-10μm。其中,发热膜30的厚度指的是发热膜30沿多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20的层叠方向的长度。如图1所示,发热膜30的厚度为L,其中,厚度L具体可以为2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、9.5μm或者10μm等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0058]
可选地,如图3所示,图3是本实用新型另一实施例中的雾化芯的剖视结构局部放大示意图。发热膜30可以包括第一覆盖膜32和第二覆盖膜34。其中,第一覆盖膜32层叠设置于陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面,第二覆盖膜34层叠设置于第一覆盖膜32远离陶瓷覆盖层20的表面。
[0059]
其中,第一覆盖膜32可以为金属或者合金。为了提高第一覆盖膜32与多孔陶瓷基材10之间的结合力,第一覆盖膜32的材质可选择与多孔陶瓷基材10之间的结合较稳定的材质。例如,第一覆盖膜32可以为钛、锆、钛铝合金、钛锆合金、钛钼合金、钛铌合金、铁铝合金或钽铝合金等。
[0060]
利用钛锆合金制成的钛锆合金膜本身为局部致密膜,但是由于多孔陶瓷基材10本身为多孔结构,导致形成在多孔陶瓷基材10表面的钛锆合金膜也变为多孔连续结构,且钛锆合金膜的孔径分布比多孔陶瓷基材10表面微孔孔径稍小。
[0061]
进一步地,由于钛锆合金膜中的钛锆高温时在空气中的稳定性较差,锆易吸收氢、氮、氧气,而锆钛合金化后吸气性更加,在后续制备电极时,因为钛锆合金的吸气性,在高温烧结时(300℃以上)就会发生剧烈氧化反应造成第一覆盖膜32的电阻突变。为避免第一覆盖膜32和空气的接触,需要在第一覆盖膜32表面做一层保护层。第二覆盖膜 34则可作为保护层。
[0062]
其中,第二覆盖膜34也可以为金属或者合金。为了防止第一覆盖膜32与空气接触而发生氧化反应造成电阻突变,第二覆盖膜34应该选用抗氧化性能较强的材料制成。例如,第二覆盖膜34可以为铂、钯、钯铜合金、金银铂合金、金银合金、钯银合金、金铂合金等。
[0063]
由于银、铂形成的保护层比较疏松,致密性不好,难以完全隔绝空气。金虽然能很好的保护钛锆合金膜,但是,一方面由于形成致密的保护层需要100nm左右或更大的厚度,会很大程度降低整个发热元件的电阻,另外成本很高。因此,本实施例通过采用金银合金,既保留金保护层的致密性,又降低了的成本,而且当按照一定比例合金化后,金银合金电阻率提高十倍,更加利于控制整个发热元件的阻值。
[0064]
进一步地,本实用新型还提供一种电子雾化装置的雾化芯的制备方法,利用该制备方法可以用于制备形成上述实施例中的雾化芯100。其中,如图4和图5所示,图4是本实用新型一实施例中的雾化芯的制备方法的流程示意图,图5是与图4中的制作流程对应的加工工艺流程示意图。雾化芯100的制备方法包括以下步骤:
[0065]
步骤S101:制备多孔陶瓷基材10。
[0066]
首先,将用于形成多孔陶瓷基材10的原材料制成第一流延浆料,其中,用于形成多孔陶瓷基材10的原材料可以为氧化锆、氧化硅、氧化铝或莫来石等,将以上原材料中的至少一种进行混合,以形成第一流延浆料。
[0067]
然后,通过流延工艺将第一流延浆料流延制成多孔陶瓷基材10。另外,可以通过控制流延的时间,以使得多孔陶瓷基材10的厚度为1-4mm。
[0068]
步骤S102:制备陶瓷覆盖层20,并在陶瓷覆盖层20上形成多个贯穿陶瓷覆盖层20的孔洞,其中,陶瓷覆盖层20的孔隙率低于多孔陶瓷基材10的孔隙率。
[0069]
首先,将用于形成陶瓷覆盖层20的原材料制成第二流延浆料。其中,用于形成陶瓷覆盖层20的材料可以为氧化锆、氧化硅、氧化铝、碳化硅或莫来石等,且用于形成陶瓷覆盖层20的材料的粉末粒度为 0.1-5μm。将以上原材料中的至少一种进行混合,以形成第二流延浆料。
[0070]
然后,在一实施例中,可以通过流延工艺将第二流延浆料流延制成陶瓷覆盖层20。另外,可以通过控制流延的时间,以使得陶瓷覆盖层20的厚度为0.05-0.2mm。
[0071]
或者,在另一实施例中,可以通过干压工艺将第二流延浆料压制形成陶瓷覆盖层20,本实用新型实施例不做具体限定。
[0072]
在制作得到陶瓷覆盖层20以后,还需要在陶瓷覆盖层20上形成多个贯穿陶瓷覆盖层20的孔洞。其中,每一孔洞21的直径为5-50μm,且多个孔洞21的面积之和占陶瓷覆盖层20的垂直于孔洞21的延伸方向的横截面的面积的比例为5%-15%。
[0073]
具体地,可以采用激光打孔、CNC(Computerized Numerical Control,计算机数字控制)精密钻孔、选择性腐蚀造孔等方式,直接在陶瓷覆盖层20上形成多个贯穿陶瓷覆盖层20的孔洞21。通过直接在陶瓷覆盖层20上形成贯穿陶瓷覆盖层20的通孔,钻孔方式简单,且成型后的雾化芯100上的孔洞21的深度一致性较高。
[0074]
可选地,形成于同一陶瓷覆盖层20上的多个孔洞21的直径可以相等,也可以不等。形成在陶瓷覆盖层20上的孔洞21的形状可以为圆形、矩形、椭圆形、三角形、菱形以及规则或者不规则多边形孔等,本实用新型实施例不做具体限定。
[0075]
其中,在上述实施例中,是先制备多孔陶瓷基材10,然后再制备陶瓷覆盖层20。可以理解地,在另一实施例中,还可以先制备陶瓷覆盖层20,然后再制备多孔陶瓷基材10。或者,在又一实施例中,还可以同时制备陶瓷覆盖层20和多孔陶瓷基材10,本实用新型实施例不做具体限定。
[0076]
执行完步骤S101和步骤S102以获得多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20之后,接着执行以下步骤:
[0077]
步骤S103:将多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20层叠设置并结合成一体结构。
[0078]
具体地,在一实施例中,可以将陶瓷覆盖层20层叠设置在多孔陶 瓷基材10的其中一侧,并采用粘接的方式将陶瓷覆盖层20与多孔陶瓷基材10连接固定。
[0079]
在本实施例中,还可以将陶瓷覆盖层20层叠设置在多孔陶瓷基材10的其中一侧,并采用烧结的方式将多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20进行连接。
[0080]
其中,烧结是指在高温下(不高于熔点),陶瓷生坯固体颗粒的相互键联,晶粒长大,空隙(气孔)和晶界渐趋减少,通过物质的传递,其总体积收缩,密度增加,最后成为具有某种显微结构的致密多晶烧结体。本实施例采用烧结的方式将陶瓷覆盖层20和多孔陶瓷基材10进行连接,由于没有有害物质产生,故而,可以提升雾化芯100的安全性能。
[0081]
请继续参阅图4和图5,在本实施例中,在执行完步骤S103以获得一体结构的多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20以后,还包括:
[0082]
步骤S104:在陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面形成发热膜30。
[0083]
其中,发热膜的厚度为2-10μm。可选地,发热膜30可以通过物理气相沉积、电镀、电沉积、离子镀、喷涂、化学气相沉积等方式形成于陶瓷覆盖层20上。通过以上方式均可以形成厚度较薄、面积较大且分布均匀的发热膜30,故而,在将发热膜30与电极电连接时,不仅可以使得发热膜30产热均匀,而且发热面积大,热量利用率高;而且也可以大幅度降低雾化芯100内部重金属的吸出,进而提升安全性能。
[0084]
可选地,在一实施例中,结合图3和图6所示,图6是图4中的步骤S105的流程示意图。在陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面形成发热膜30的步骤包括:
[0085]
步骤S201:在陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面形成第一覆盖膜32。
[0086]
其中,第一覆盖膜32可以为金属或者合金。第一覆盖膜32可以选用与多孔陶瓷基材10结合力较强的材料制成。例如,第一覆盖膜32可以为钛、锆、钛铝合金、钛锆合金、钛钼合金、钛铌合金、铁铝合金或钽铝合金等。
[0087]
步骤S202:在第一覆盖膜32的远离陶瓷覆盖层20的表面形成第二覆盖膜34。
[0088]
其中,第二覆盖膜34也可以为金属或者合金。第二覆盖膜34可以选用抗氧化性能较强的材料制成。例如,第二覆盖膜34可以为铂、钯、钯铜合金、金银铂合金、金银合金、钯银合金、金铂合金等。
[0089]
可选地,第一覆盖膜32和第二覆盖膜34可以采用PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition,气相反应)、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂等方式依次形成于陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面。通过采用上述方式形成的第一覆盖膜32和第二覆盖膜34的厚度较薄、面积较大且分布均匀,故而,在将发热膜30与电极电连接时,不仅可以使得发热膜30产热均匀,而且发热面积大,热量利用率高;而且也可以大幅度降低雾化芯100内部重金属的吸出,进而提升安全性能。
[0090]
在另一实施例中,请参阅图7和图8,图7是本实用新型另一实施例中的雾化芯的制备方法的流程示意图,图8是与图7中的制作流程对应的加工工艺流程示意图。在本实施例中的雾化芯100的制备方法包括:
[0091]
步骤S301:制备多孔陶瓷基材10。
[0092]
步骤S302:制备陶瓷覆盖层20,其中,陶瓷覆盖层20的孔隙率低于多孔陶瓷基材10的孔隙率。
[0093]
步骤S303:将多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20层叠设置并结合成一体结构。
[0094]
步骤S304:在陶瓷覆盖层20上形成多个孔洞21。
[0095]
步骤S305:在陶瓷覆盖层20远离多孔陶瓷基材10的表面形成发热膜30。
[0096]
其中,步骤S301与上述实施例中的步骤S101大致相同,步骤S303与上述实施例中的步骤S103大致相同,步骤S305与上述实施例中的步骤S104大致相同,请参照上述实施例中的描述,此处不再赘述。本实施例与上述实施例的区别在于:在本实施例中,位于陶瓷覆盖层20上的多个孔洞21不是在制备陶瓷覆盖层20的时候形成的,而是在将多孔 陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20结合形成一体结构之后,在陶瓷覆盖层20所在一侧进行打孔形成的。
[0097]
在本实施例中,在进行打孔时,需要首先设定打孔的深度等于陶瓷覆盖层20的厚度,然后自陶瓷覆盖层20所在一侧开始钻孔,以在一体结构的多孔陶瓷基材10和陶瓷覆盖层20上形成多个盲孔。其中,打孔的方式以及孔的大小与上述实施例中的相同,请参照上述实施例中的描述。
[0098]
本实用新型还提供一种电子雾化装置,电子雾化装置包括用于存储烟液的储液腔和雾化芯,储液腔中的烟液能够经多孔陶瓷基材传递至陶瓷覆盖层。
[0099]
其中,本实施例中的雾化芯的结构与上述实施例中的雾化芯的结构相同,请参照上述实施例中的描述,此处不再赘述。
[0100]
综上所述,本领域技术人员容易理解,通过在多孔陶瓷基材10的靠近发热元件的表面上结合一孔隙率低于多孔陶瓷基材10的陶瓷覆盖层20,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层20致密度更高不存在掉粉现象,故而可以防止雾化芯100发生掉粉的现象;而且,由于孔隙率较低的陶瓷覆盖层20可以隔绝多孔陶瓷基材10内部重金属的析出,故而可以防止重金属在抽吸时被带入气流,从而提升电子雾化装置的安全性能。
[0101]
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

权利要求书

[权利要求 1]
一种电子雾化装置的雾化芯,其中,包括:多孔陶瓷基材、陶瓷覆盖层及发热膜,所述陶瓷覆盖层结合于所述多孔陶瓷基材的表面,所述发热膜结合于所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面,所述陶瓷覆盖层的孔隙率低于所述多孔陶瓷基材的孔隙率,所述陶瓷覆盖层上形成有多个贯穿的孔洞。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,所述多孔陶瓷基材的孔隙率为40%-80%;和/或 所述多孔陶瓷基材上的微孔的平均孔径为10μm-40μm;和/或 用于形成所述多孔陶瓷基材的材料为氧化锆、氧化硅、氧化铝或莫来石;和/或 所述多孔陶瓷基材的厚度为1-4mm。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,所述陶瓷覆盖层的孔隙率为10%-20%;和/或 用于形成所述陶瓷覆盖层的材料为氧化锆、氧化硅、氧化铝、碳化硅或莫来石;和/或 所述陶瓷覆盖层的厚度为0.05-0.2mm;和/或 用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm。
[权利要求 4]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,每一所述孔洞的直径为5-50μm。
[权利要求 5]
根据权利要求4所述的雾化芯,其中,多个所述孔洞的开口的面积之和占所述陶瓷覆盖层垂直于所述孔洞的延伸方向的横截面的面积的比例为5%-15%。
[权利要求 6]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm。
[权利要求 7]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,所述发热膜由金属或者合金制成;和/或 所述发热膜的厚度为2-10μm。
[权利要求 8]
根据权利要求1所述的雾化芯,其中,所述发热膜包括第一覆盖膜和第二覆盖膜;其中,所述第一覆盖膜层叠设置于所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面,所述第二覆盖膜层叠设置于所述第一覆盖膜远离所述陶瓷覆盖层的表面。
[权利要求 9]
根据权利要求8所述的雾化芯,其中,所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜为金属或合金。
[权利要求 10]
一种电子雾化装置的雾化芯的制备方法,其中,所述制备方法包括: 制备多孔陶瓷基材; 制备陶瓷覆盖层,并在所述陶瓷覆盖层上形成多个贯穿所述陶瓷覆盖层的孔洞,其中,所述陶瓷覆盖层的孔隙率低于所述多孔陶瓷基材的孔隙率; 将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层层叠设置并结合成一体结构;和 在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜。
[权利要求 11]
根据权利要求10所述的制备方法,其中,所述制备多孔陶瓷基材的步骤包括: 将用于形成多孔陶瓷基材的原材料制成第一流延浆料; 通过流延工艺制成所述多孔陶瓷基材,所述多孔陶瓷基材的厚度为1-4mm。
[权利要求 12]
根据权利要求10所述的制备方法,其中,所述制备陶瓷覆盖层的步骤包括: 将用于形成陶瓷覆盖层的原材料制成第二流延浆料,用于形成所述陶瓷覆盖层的材料的粉末粒度为0.1-5μm; 通过流延工艺或者干压工艺制成所述陶瓷覆盖层,所述陶瓷覆盖层的厚度为0.05-0.2mm。
[权利要求 13]
根据权利要求10所述的制备方法,其中,所述将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层层叠设置并结合成一体结构的步骤包括: 通过粘接或烧结的方式将所述多孔陶瓷基材和所述陶瓷覆盖层进 行连接。
[权利要求 14]
根据权利要求10所述的制备方法,其中,所述在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜的步骤包括: 采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成所述发热膜,所述发热膜的厚度为2-10μm。
[权利要求 15]
根据权利要求10所述的制备方法,其中,所述在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成发热膜的步骤包括: 采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述陶瓷覆盖层远离所述多孔陶瓷基材的表面形成第一覆盖膜; 采用PVD、CVD、电镀、电沉积、离子镀或者喷涂的方式在所述第一覆盖膜远离所述陶瓷覆盖层的表面形成第二覆盖膜;所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜形成发热膜。
[权利要求 16]
根据权利要求15所述的制备方法,其中,所述第一覆盖膜和所述第二覆盖膜为金属或合金。
[权利要求 17]
一种电子雾化装置,其中,所述电子雾化装置包括用于存储烟液的储液腔和根据权利要求1所述的雾化芯,所述储液腔中的烟液能够经所述多孔陶瓷基材传递至所述陶瓷覆盖层。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]  
[ 图 8]