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1. WO2022094814 - FERROELECTRIC MEMORY AND STORAGE DEVICE

Publication Number WO/2022/094814
Publication Date 12.05.2022
International Application No. PCT/CN2020/126589
International Filing Date 04.11.2020
IPC
H01L 27/11502 2017.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11502with ferroelectric memory capacitors
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 许俊豪 XU, Jeffery Junhao
  • 景蔚亮 JING, Weiliang
  • 卜思童 BU, Sitong
  • 方亦陈 FANG, Yichen
  • 吴颖 WU, Ying
  • 侯朝昭 HOU, Zhaozhao
  • 谭万良 TAN, Wanliang
  • 张恒 ZHANG, Heng
  • 张瑜 ZHANG, Yu
Agents
  • 北京中博世达专利商标代理有限公司 BEIJING ZBSD PATENT&TRADEMARK AGENT LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) FERROELECTRIC MEMORY AND STORAGE DEVICE
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(ZH) 一种铁电存储器及存储设备
Abstract
(EN) The present application provides a ferroelectric memory and a storage device, used to improve the integration degree and scaling capability of a memory cell, thereby reducing the area of the ferroelectric memory. The ferroelectric memory comprises at least one basic cell, and the basic cell in the at least one basic cell comprises a plurality of ferroelectric capacitors and a first transistor, wherein the first transistor comprises a first gate electrode, a first channel, and a first source electrode and a first drain electrode located at both ends of the first channel; and one electrodes of the plurality of ferroelectric capacitors are formed on the first gate electrode.
(FR) La présente invention concerne une mémoire ferroélectrique et un dispositif de mémoire, utilisés pour améliorer le degré d'intégration et la capacité de mise à l'échelle d'une cellule de mémoire, ce qui permet de réduire la surface de la mémoire ferroélectrique. La mémoire ferroélectrique comprend au moins une cellule de base, et la cellule de base dans la ou les cellules de base comprend une pluralité de condensateurs ferroélectriques et un premier transistor, le premier transistor comprenant une première électrode de grille, un premier canal et une première électrode de source et une première électrode de drain situées aux deux extrémités du premier canal; et une électrode de la pluralité de condensateurs ferroélectriques est formée sur la première électrode de grille.
(ZH) 本申请提供一种铁电存储器及存储设备,用于提高存储单元的集成度和微缩能力,进而减小该铁电存储器的面积。所述铁电存储器包括至少一个基本单元,所述至少一个基本单元中的基本单元包括多个铁电电容和第一晶体管;其中,所述第一晶体管包括第一栅极、第一沟道、以及位于所述第一沟道两端的第一源极和第一漏极,所述多个铁电电容的一极均形成于所述第一栅极上。
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