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1. WO2022094801 - RESONANT CAVITY LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2022/094801
Publication Date 12.05.2022
International Application No. PCT/CN2020/126522
International Filing Date 04.11.2020
IPC
H01L 33/14 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H01L 33/38 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/46 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Applicants
  • 苏州晶湛半导体有限公司 ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • 郭志中 GUO, Zhizhong
  • 张丽旸 ZHANG, Liyang
Agents
  • 北京博思佳知识产权代理有限公司 BEIJING BESTIPR INTELLECTUAL PROPERTY LAW CORPORATION
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) RESONANT CAVITY LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À CAVITÉ RÉSONNANTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 谐振腔发光二极管及其制备方法
Abstract
(EN) Provided in the present disclosure are a resonant cavity light-emitting diode (RCLED) and a preparation method therefor. The RCLED may comprise a light-emitting structure layer, a first reflector layer, and a second reflector layer. The light-emitting structure layer comprises a first surface and a second surface opposite to one another and a sidewall that connects the first surface and second surface. The first reflector layer is provided on the first surface. The second reflector layer covers the second surface and at least a portion of a region of the sidewall of the light-emitting structure layer, and the second reflector layer is an insulating material. The present disclosure can solve the problem of device performance degradation due to damage to a sidewall of a light-emitting structure layer, which, at the same time, reduces the steps of fabricating an insulating protective layer and reduces costs.
(FR) La présente invention concerne une diode électro-luminescente à cavité résonnante (RCLED) et son procédé de préparation. La RCLED peut comprendre une couche de structure électroluminescente, une première couche de réflecteur et une seconde couche de réflecteur. La couche de structure électroluminescente comprend une première surface et une seconde surface opposées l'une à l'autre et une paroi latérale qui relie la première surface et la seconde surface. La première couche de réflecteur est disposée sur la première surface. La seconde couche de réflecteur recouvre la seconde surface et au moins une partie d'une région de la paroi latérale de la couche de structure électroluminescente, et la seconde couche de réflecteur est un matériau isolant. La présente invention permet de résoudre le problème de dégradation de performance de dispositif dû à un endommagement d'une paroi latérale d'une couche de structure électroluminescente, qui, en même temps, réduit les étapes de fabrication d'une couche protectrice isolante et réduit les coûts.
(ZH) 本公开提供了一种谐振腔发光二极管及其制备方法。该谐振腔发光二极管可以包括发光结构层、第一反射镜层以及第二反射镜层。该发光结构层包括相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。该第一反射镜层设于第一表面。该第二反射镜层覆盖发光结构层的侧壁的至少部分区域和第二表面,且第二反射镜层为绝缘材料。本公开能够解决由于发光结构层的侧壁受损所导致的器件性能降低的问题,同时减少了制造绝缘保护层的步骤,节约了成本。
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