(EN) A three-dimensional (3D) memory device and a fabricating method for forming the same are disclosed. The 3D memory device can include an alternating conductor/dielectric layer stack disposed on a substrate, a first staircase structure and a second staircase structure formed in the alternating conductor/dielectric layer stack, a staircase bridge extending in a first direction and electrically connecting the first staircase structure and the second staircase structure, and a first bottom select gate segment covered or partially covered by the staircase bridge. The first bottom select gate segment can include an extended portion extending in a second direction different from the first direction.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle (3D) et un procédé de fabrication pour le former. Le dispositif de mémoire 3D peut comprendre un empilement de couches conductrices/diélectriques alternées disposé sur un substrat, une première structure d'escalier et une deuxième structure d'escalier formées dans l'empilement de couches conductrices/diélectriques alternées, un pont d'escalier s'étendant dans une première direction et reliant électriquement la première structure d'escalier et la deuxième structure d'escalier, et un premier segment de grille de sélection inférieur recouvert ou partiellement recouvert par le pont d'escalier. Le premier segment de grille de sélection inférieur peut comprendre une partie étendue s'étendant dans une deuxième direction différente de la première direction.
