(EN) Provided is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a common support substrate and a plurality of semiconductor elements. The method comprises: an inspection step for measuring, with respect to each of a plurality of semiconductor elements 101-104 supported side by side on a common support substrate 20, a predetermined electrical parameter and determining whether a measured value satisfies a predetermined condition; and an electrode forming step for forming an electrode film 22 which is, among the plurality of semiconductor elements, electrically connected to semiconductor elements that have passed the inspection in the inspection step and electrically insulated from a semiconductor element that has failed the inspection in the inspection step, in a state such that the electrode film 22 is continuous across projected surfaces on an electrode film arranging surface 22A including projected surfaces A1, A2, A3 of the semiconductor elements that have passed the inspection and a projected surface B1 of the semiconductor element that has failed the inspection, the semiconductor elements still being supported on the common support substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat de support commun et une pluralité d'éléments semi-conducteurs. Le procédé comprend : une étape d'inspection consistant à mesurer, par rapport à chaque élément semi-conducteur d'une pluralité d'éléments semi-conducteurs 101-104 montés côte à côte sur un substrat de support commun 20, un paramètre électrique prédéfini et déterminer si une valeur mesurée satisfait une condition prédéfinie ; et une étape de formation d'électrode consistant à former un film d'électrode 22 qui est, parmi la pluralité d'éléments semi-conducteurs, connecté électriquement à des éléments semi-conducteurs qui ont réussi l'inspection lors de l'étape d'inspection et sont isolés électriquement d'un élément semi-conducteur qui a échoué à l'inspection lors de l'étape d'inspection, dans un état tel que le film d'électrode 22 est continu sur toute l'étendue des surfaces en saillie sur une surface d'agencement de film d'électrode 22A comprenant des surfaces en saillie A1, A2, A3 des éléments semi-conducteurs qui ont réussi l'inspection et une surface en saillie B1 de l'élément semi-conducteur qui a échoué à l'inspection, les éléments semi-conducteurs étant toujours montés sur le substrat de support commun.
(JA) 半導体素子の製造方法は、共通の支持基板２０に並んで支持された複数の半導体素子１０１－１０４のそれぞれについて、所定の電気的パラメータを測定し、測定値が所定の条件を満たすか否か検査する検査工程と、複数の半導体素子のうち、検査工程で検査合格の半導体素子と電気的に接続され、検査工程で検査不合格の半導体素子と電気的に絶縁される電極膜２２を、当該電極膜配置面２２Ａへの投影面であって共通の支持基板に支持されたままの検査合格の半導体素子の投影面Ａ１，Ａ２，Ａ３及び検査不合格の半導体素子の投影面Ｂ１に跨って連続した状態に形成する電極形成工程と、を備え、共通の支持基板と、複数の半導体素子とを含む半導体装置を製造する。