(EN) Methods and apparatus for implementing a power efficient amplifier device through the use of a main (primary) and auxiliary (secondary) power amplifier are described. The primary and secondary amplifiers operate as current sources providing current to the load. Capacitance coupling is used to couple the primary and secondary amplifier outputs. In some embodiments the combination of primary and secondary amplifiers achieve high average efficiency over the operating range of the device in which the primary and secondary amplifiers are used in combination as an amplifier device. The amplifier device is well suited for implementation using CMOS technology, e.g., N- MOSFETs, and can be implemented in an integrated circuit space efficient manner that is well suited for supporting RF transmissions in the GHz frequency range, e.g., 30 GHz frequency range. The primary amplifier in some embodiments is a CLASS-AB or B amplifier and the secondary amplifier is a CLASS-C amplifier.
(FR) La présente invention concerne des procédés et un appareil pour mettre en œuvre un dispositif d'amplificateur à faible consommation d'énergie grâce à l'utilisation d'un amplificateur de puissance principal (primaire) et d'un amplificateur de puissance auxiliaire (secondaire). Les amplificateurs primaire et secondaire fonctionnent en tant que sources de courant fournissant du courant à la charge. Un couplage capacitif est utilisé pour coupler les sorties d'amplificateurs primaire et secondaire. Dans certains modes de réalisation, la combinaison d'amplificateurs primaire et secondaire permet d'obtenir un rendement moyen élevé sur la plage de fonctionnement du dispositif dans lequel les amplificateurs primaire et secondaire sont utilisés en combinaison en tant que dispositif d'amplificateur. Le dispositif d'amplificateur convient parfaitement pour une mise en œuvre à l'aide de la technologie CMOS, par exemple, des transistors à effet de champ métal-oxyde semiconducteur de type N (N-MOSFET), et peut être mis en œuvre d'une manière efficace dans l'espace de circuit intégré qui convient parfaitement pour la prise en charge de transmissions radiofréquence (RF) dans la plage de fréquences de l'ordre du GHz, par exemple, la plage de fréquences de 30 GHz. L'amplificateur primaire, dans certains modes de réalisation, est un amplificateur de CLASSE AB ou B et l'amplificateur secondaire est un amplificateur de CLASSE C.