(EN) A laser diode, comprising a transverse waveguide that is orthogonal to the lateral waveguide comprising an active layer between an n-type waveguide layer and a p-type waveguide layer, wherein the transverse waveguide is bounded by an n-type cladding layer on an n-side and p-type cladding layer on a p-side and a lateral waveguide bounded in a longitudinal direction at a first end by a high reflector (HR) coated facet and at a second end by a partial reflector (PR) coated facet, the lateral waveguide further comprising a buried higher order mode suppression layer (HOMSL) disposed beneath the p -cladding within the lateral waveguide or on one or both sides of the lateral waveguide or a combination thereof, wherein the HOMSL extends in a longitudinal direction from the HR facet a length less than the distance between the HR facet and the PR facet.
(FR) L'invention concerne une diode laser, comprenant un guide d'onde transversal qui est orthogonal au guide d'onde latéral comprenant une couche active entre une couche de guide d'onde de type n et une couche de guide d'onde de type p, le guide d'ondes transversal étant délimité par une couche de gainage de type n sur une couche de gainage de type n et de type p sur un côté p et un guide d'onde latéral limité dans une direction longitudinale au niveau d'une première extrémité par une facette revêtue de réflecteur élevé (HR) et au niveau d'une seconde extrémité par une facette revêtue de réflecteur partiel (PR), le guide d'onde latéral comprenant en outre une couche de suppression de mode d'ordre supérieur enfouie (HOMSL) disposée au-dessous de la gaine p à l'intérieur du guide d'onde latéral ou sur un ou les deux côtés du guide d'onde latéral ou une combinaison de ceux-ci, la HOMSL s'étendant dans une direction longitudinale à partir de la facette HR d'une longueur inférieure à la distance entre la facette HR et la facette PR.