1. WO2021030236 - PRODUCING A RIBBON OR WAFER WITH REGIONS OF LOW OXYGEN CONCENTRATION

A ribbon is formed such that the ribbon floats on a melt using a cold initializer facing an exposed surface of the melt. The ribbon is single crystal silicon. The ribbon is pulled from the silicon melt at a low angle off the melt surface. The ribbon is formed at a same rate as the pulling. The ribbon is separated from the melt at a wall of the crucible where a stable meniscus forms. The ribbon has a thickness between a first surface and an opposite second surface from 50 μm to 5 mm. The ribbon includes a first region extending a first depth from the first surface. The first region has a reduced oxygen concentration relative to a bulk of the ribbon.

Un ruban est formé de sorte que le ruban flotte sur une masse fondue à l'aide d'un dispositif d'amorçage du froid faisant face à une surface exposée de la masse fondue. Le ruban est constitué de silicium monocristallin. Le ruban est tiré à partir de la masse fondue de silicium à un faible angle par rapport à la surface de la masse fondue. Le ruban est formé à une même vitesse que le tirage. Le ruban est séparé de la masse fondue au niveau d'une paroi du creuset au niveau de laquelle se forme un ménisque stable. Le ruban présente une épaisseur entre une première surface et une seconde surface en regard de 50 μm à 5 mm. Le ruban comprend une première région s'étendant à une première profondeur de la première surface. La première région présente une concentration en oxygène réduite par rapport à une masse du ruban.