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1. WO2021003017 - MEMORY CELL SELECTION

Publication Number WO/2021/003017
Publication Date 07.01.2021
International Application No. PCT/US2020/037930
International Filing Date 16.06.2020
IPC
G11C 13/00 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
Applicants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventors
  • HAMADA, Josephine, T.
  • CUI, Mingdong
  • MCCRATE, Joseph, M.
  • SARPATWARI, Karthik
  • CHEN, Jessica
Agents
  • HARRIS, Philip
Priority Data
16/460,86302.07.2019US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) MEMORY CELL SELECTION
(FR) SÉLÉCTION DE CELLULE DE MÉMOIRE
Abstract
(EN)
Methods, systems, and devices for memory cell selection to enable a memory device to select a targeted memory cell during a write operation are described. The memory device may apply a first pulse to a selected bit line of the targeted memory cell while applying a voltage to deselected word lines to prevent current leakage. If the targeted memory is not selected after the first pulse, the memory device may apply a second pulse to the selected bit line while applying a voltage to the deselected word lines. If the targeted memory cell is not selected following the second pulse, the memory device may apply a third pulse to the selected bit line while applying the voltage to the deselected word lines. The memory device may detect a snapback event after any of the pulses if the targeted memory cell is selected.
(FR)
L'invention concerne des procédés, des systèmes, et des dispositifs de sélection de cellule de mémoire pour permettre à un dispositif de mémoire de sélectionner une cellule de mémoire ciblée pendant une opération d'écriture. Le dispositif de mémoire peut appliquer une première impulsion à une ligne de bits sélectionnée de la cellule de mémoire ciblée tout en appliquant une tension à des lignes de mots désélectionnées pour empêcher une fuite de courant. Si la mémoire ciblée n'est pas sélectionnée après la première impulsion, le dispositif de mémoire peut appliquer une seconde impulsion à la ligne de bits sélectionnée tout en appliquant une tension aux lignes de mots désélectionnées. Si la cellule de mémoire ciblée n'est pas sélectionnée suite à la seconde impulsion, le dispositif de mémoire peut appliquer une troisième impulsion à la ligne de bits sélectionnée tout en appliquant la tension aux lignes de mots désélectionnées. Le dispositif de mémoire peut détecter un événement de retour après l'une quelconque des impulsions si la cellule de mémoire ciblée est sélectionnée.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau