(EN) Provided is a semiconductor film having exceptional drive durability, a photoelectric conversion element, an image sensor, and a method for manufacturing a semiconductor film. The semiconductor film includes: an aggregate of semiconductor quantum dots containing metal atoms; and ligands coordinated to the semiconductor quantum dots. The ligands include a first ligand that is an inorganic halide, and a second ligand represented by any of formulae (A) to (C). XA1 and XA2 are separated by LA1 by 3 to 10 atoms. XB1 and XB3 are separated by LB1 by 3 to 10 atoms, and XB2 and XB3 are separated by LB2 by 1 to 10 atoms. XC1 and XC4 are separated by LC4 by 3 to 10 atoms, XC2 and XC4 are separated by LC2 by 1 to 10 atoms, and XC3 and XC4 are separated by LC3 by 1 to 10 atoms.
(FR) L'invention concerne un film semi-conducteur ayant une durabilité de commande exceptionnelle, un élément de conversion photoélectrique, un capteur d'image et un procédé de fabrication d'un film semi-conducteur. Le film semi-conducteur comprend : un agrégat de points quantiques semi-conducteurs contenant des atomes métalliques ; et des ligands coordonnés aux points quantiques semi-conducteurs. Les ligands comprennent un premier ligand qui est un halogénure inorganique, et un second ligand représenté par l'une quelconque des formules (A) à (C). XA1 et XA2 sont séparés par LA1 de 3 à 10 atomes. XB1 et XB3 sont séparés par LB1 de 3 à 10 atomes, et XB2 et XB3 sont séparés par LB2 de 1 à 10 atomes. XC1 et XC4 sont séparés par LC4 de 3 à 10 atomes, XC2 et XC4 sont séparés par LC2 de 1 à 10 atomes, et XC3 et XC4 sont séparés par LC3 de 1 à 10 atomes.
(JA) 駆動耐久性に優れた半導体膜、光電変換素子、イメージセンサおよび半導体膜の製造方法を提供する。半導体膜は、金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、半導体量子ドットに配位する配位子と、を含み、配位子は、無機ハロゲン化物である第1の配位子と、式(A)~(C)のいずれかで表される第2の配位子と、を含む。XA1とXA2はLA1によって、3~10原子隔てられている。XB1とXB3はLB1によって、3~10原子隔てられており、XB2とXB3はLB2によって、1~10原子隔てられている。XC1とXC4はLC1によって、3~10原子隔てられており、XC2とXC4はLC2によって、1~10原子隔てられており、XC3とXC4は、LC3によって、1~10原子隔てられている。