Provided is a semiconductor film having exceptional drive durability, a photoelectric conversion element, an image sensor, and a method for manufacturing a semiconductor film. The semiconductor film includes: an aggregate of semiconductor quantum dots containing metal atoms; and ligands coordinated to the semiconductor quantum dots. The ligands include a first ligand that is an inorganic halide, and a second ligand represented by any of formulae (A) to (C). X^A1 and X^A2 are separated by L^A1 by 3 to 10 atoms. X^B1 and X^B3 are separated by L^B1 by 3 to 10 atoms, and X^B2 and X^B3 are separated by L^B2 by 1 to 10 atoms. X^C1 and X^C4 are separated by L^C4 by 3 to 10 atoms, X^C2 and X^C4 are separated by L^C2 by 1 to 10 atoms, and X^C3 and X^C4 are separated by L^C3 by 1 to 10 atoms.

L'invention concerne un film semi-conducteur ayant une durabilité de commande exceptionnelle, un élément de conversion photoélectrique, un capteur d'image et un procédé de fabrication d'un film semi-conducteur. Le film semi-conducteur comprend : un agrégat de points quantiques semi-conducteurs contenant des atomes métalliques ; et des ligands coordonnés aux points quantiques semi-conducteurs. Les ligands comprennent un premier ligand qui est un halogénure inorganique, et un second ligand représenté par l'une quelconque des formules (A) à (C). X^A1 et X^A2 sont séparés par L^A1 de 3 à 10 atomes. X^B1 et X^B3 sont séparés par L^B1 de 3 à 10 atomes, et X^B2 et X^B3 sont séparés par L^B2 de 1 à 10 atomes. X^C1 et X^C4 sont séparés par L^C4 de 3 à 10 atomes, X^C2 et X^C4 sont séparés par L^C2 de 1 à 10 atomes, et X^C3 et X^C4 sont séparés par L^C3 de 1 à 10 atomes.

駆動耐久性に優れた半導体膜、光電変換素子、イメージセンサおよび半導体膜の製造方法を提供する。半導体膜は、金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、半導体量子ドットに配位する配位子と、を含み、配位子は、無機ハロゲン化物である第１の配位子と、式（Ａ）～（Ｃ）のいずれかで表される第２の配位子と、を含む。Ｘ^Ａ１とＸ^Ａ２はＬ^Ａ１によって、３～１０原子隔てられている。Ｘ^Ｂ１とＸ^Ｂ３はＬ^Ｂ１によって、３～１０原子隔てられており、Ｘ^Ｂ２とＸ^Ｂ３はＬ^Ｂ２によって、１～１０原子隔てられている。Ｘ^Ｃ１とＸ^Ｃ４はＬ^Ｃ１によって、３～１０原子隔てられており、Ｘ^Ｃ２とＸ^Ｃ４はＬ^Ｃ２によって、１～１０原子隔てられており、Ｘ^Ｃ３とＸ^Ｃ４は、Ｌ^Ｃ３によって、１～１０原子隔てられている。