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1. WO2020206937 - MULTI-ELEMENT ALLOY AND PREPARATION METHOD THEREOF, SUPERLATTICE AND PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF, LASER, PHOTOELECTRIC DETECTOR, AND SOLAR CELL

Publication Number WO/2020/206937
Publication Date 15.10.2020
International Application No. PCT/CN2019/106774
International Filing Date 19.09.2019
IPC
H01S 5/343 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers , multiple quantum well lasers or graded index separate confinement heterostructure lasers
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
H01L 31/0304 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
Applicants
  • 杜鹏 DU, Peng [CN]/[CN]
Inventors
  • 杜鹏 DU, Peng
Agents
  • 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) CHOFN INTELLECTUAL PROPERTY
Priority Data
PCT/CN2019/08197109.04.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) MULTI-ELEMENT ALLOY AND PREPARATION METHOD THEREOF, SUPERLATTICE AND PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF, LASER, PHOTOELECTRIC DETECTOR, AND SOLAR CELL
(FR) ALLIAGE MULTIÉLÉMENT ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, SUPER-RÉSEAU CRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SON APPLICATION, LASER, DÉTECTEUR PHOTOÉLECTRIQUE, ET CELLULE SOLAIRE
(ZH) 多元合金及其制备方法、超晶格及其制备方法和应用、激光器、光电探测器、太阳能电池
Abstract
(EN)
A multi-element alloy and a preparation method thereof, superlattice and a preparation method and an application thereof, a laser, a photoelectric detector and a solar cell. The preparation method of the multi-element alloy includes using molecular beam epitaxy to alternately grow at least two kinds of IIIA-VA binary alloys, at least two kinds of IIIA-VA ternary alloys, or at least one kind of IIIA-VA binary alloy and at least one kind of IIIA -VA ternary alloy to obtain the multi-element alloy, wherein, the thickness of the IIIA-VA binary alloy and the thickness of the IIIA-VA ternary alloy are both less than the thickness of the multi-element alloy with one molecular layer thickness. The method achieves the accurate control of the content of the multi-element alloy in the multi-element alloy with one molecular layer thickness in a growth mode of a combination of binary or ternary alloy with the thickness less than one molecular layer thickness, and the obtained multi-element alloy has better performance stability; meanwhile, the method can also improve the matching with a substrate, which is conducive to the construction of high-quality superlattices.
(FR)
L’invention concerne un alliage multiélément et son procédé de préparation, un super-réseau cristallin et son procédé de préparation et son application, un laser, un détecteur photoélectrique, et une cellule solaire. Le procédé de préparation de l’alliage multiélément consiste à utiliser l’épitaxie de faisceaux moléculaire pour faire croître alternativement au moins deux types d’alliages binaires IIIA-VA, au moins deux types d’alliages ternaires IIIA-VA, ou au moins un type d’alliage binaire IIA-VA et au moins un type d’alliage ternaire IIIA-VA pour obtenir l’alliage multiélément, l’épaisseur de l’alliage binaire IIIA-VI et l’épaisseur de l’alliage ternaire IIIA-VA étant toutes deux inférieures à l’épaisseur de l’alliage multiélément avec une épaisseur de couche moléculaire. Le procédé permet de mettre en œuvre le contrôle précis du contenu de l’alliage multiélément dans l’alliage multiélément avec une épaisseur de couche moléculaire selon un mode de croissance d’une combinaison d’alliages binaires ou ternaires dont l’épaisseur est inférieure à une épaisseur de couche moléculaire, et l’alliage multiélément obtenu a une meilleure stabilité de performance ; par ailleurs, le procédé peut également améliorer l’appariement à un substrat, ce qui conduit à la construction de super-réseaux cristallins de haute qualité.
(ZH)
一种多元合金及其制备方法、超晶格及其制备方法和应用、激光器、光电探测器、太阳能电池。所述多元合金的制备方法包括采用分子束外延交替层叠生长至少两种IIIA-VA二元合金、至少两种IIIA-VA三元合金、或至少一种IIIA-VA二元合金和至少一种IIIA-VA三元合金,得到所述多元合金,其中,IIIA-VA二元合金的厚度和IIIA-VA三元合金的厚度均低于一个分子层厚的多元合金的厚度。该方法在一个分子层厚的多元合金中以低于一个分子层厚的二元或三元合金的组合的生长方式实现对多元合金含量准确控制,所得到的多元合金的性能稳定性较好;同时还能够提高与衬底之间的匹配性,有利于构建高质量的超晶格。
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