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1. WO2020150895 - ARRAY SUBSTRATE AND OLED DISPLAY DEVICE

Publication Number WO/2020/150895
Publication Date 30.07.2020
International Application No. PCT/CN2019/072678
International Filing Date 22.01.2019
IPC
H01L 27/32 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes
H01L 27/12 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Applicants
  • 深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 晏国文 YAN, Guowen
  • 袁泽 YUAN, Ze
Agents
  • 深圳市六加知识产权代理有限公司 LIUJIA CHINA IP LAW OFFICE
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) ARRAY SUBSTRATE AND OLED DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À OLED
(ZH) 阵列基板及OLED显示装置
Abstract
(EN)
The present application proposes an array substrate and an OLED display device, wherein the array substrate comprises a first thin film transistor (10) and a second thin film transistor (20). The first thin film transistor (10) comprises a first gate electrode (11), a first semiconductor (12), and a first metal layer (13). The first gate electrode (11) and the first semiconductor (12) form a transistor structure. The first metal layer (13) is electrically connected to the first gate electrode (11). The second thin film transistor (20) comprises a second gate electrode (21), a second semiconductor (22), a second source electrode (221), and a second metal layer (23). The second gate electrode (21) and the second semiconductor (22) form a transistor structure. The second metal layer (23) is electrically connected to the second source electrode (221). The first gate electrode (11) and the first metal layer (13) in the first thin film transistor (10) are electrically connected so as to increase the electrical transmission capability of the first thin film transistor (10), thereby facilitating electrostatic discharge to improve the stability of the substrate.
(FR)
La présente invention propose un substrat matriciel et un dispositif d'affichage à OLED, le substrat matriciel comprenant un premier transistor à couches minces (10) et un second transistor à couches minces (20). Le premier transistor à couches minces (10) comprend une première électrode de grille (11), un premier semi-conducteur (12), et une première couche métallique (13). La première électrode de grille (11) et le premier semi-conducteur (12) forment une structure de transistor. La première couche métallique (13) est électriquement connectée à la première électrode de grille (11). Le second transistor à couches minces (20) comprend une seconde électrode de grille (21), un second semi-conducteur (22), une seconde électrode de source (221) et une seconde couche métallique (23). La seconde électrode de grille (21) et le second semi-conducteur (22) forment une structure de transistor. La seconde couche métallique (23) est électriquement connectée à la seconde électrode de source (221). La première électrode de grille (11) et la première couche métallique (13) dans le premier transistor à couches minces (10) sont connectées électriquement de manière à augmenter la capacité de transmission électrique du premier transistor à couches minces (10), ce qui facilite la décharge électrostatique pour améliorer la stabilité du substrat.
(ZH)
本申请提出一种阵列基板及OLED显示装置,其中阵列基板包括第一薄膜晶体管(10)及第二薄膜晶体管(20);第一薄膜晶体管(10))包括第一栅极(11)、第一半导体(12)及第一金属层(13),第一栅极(11)与第一半导体(12)构成晶体管结构,第一金属层(13)与第一栅极(11)电连接;第二薄膜晶体管(20)包括第二栅极(21)、第二半导体(22)、第二源极(221)及第二金属层(23),第二栅极(21)与第二半导体(22)构成晶体管结构,第二金属层(23)与第二源极(221)电连接。在第一薄膜晶体管(10)中第一栅极(11)与第一金属层(13)电连接,可增强第一薄膜晶体管(10)的电传输能力,利于静电释放,以增强基板稳定性。
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