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1. WO2020029177 - CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Publication Number WO/2020/029177
Publication Date 13.02.2020
International Application No. PCT/CN2018/099631
International Filing Date 09.08.2018
IPC
H01L 49/02 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/-H01L47/99; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Thin-film or thick-film devices
CPC
H01L 28/92
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
90having vertical extensions
92made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers
Applicants
  • 深圳市为通博科技有限责任公司 SHENZHEN WEITONGBO TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 陆斌 LU, Bin
  • 沈健 SHEN, Jian
Agents
  • 北京龙双利达知识产权代理有限公司 LONGSUN LEAD IP LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) CONDENSATEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 电容器及其制作方法
Abstract
(EN)
A capacitor and a manufacturing method for the same. The capacitor comprises: a semiconductor substrate (101) comprising an opposing upper surface and lower surface; at least one first trench (108) disposed at the semiconductor substrate (101) and formed downward from the upper surface; at least one second trench (109) disposed at the semiconductor substrate (101), corresponding to the first trench (108), and formed upward from the lower surface; a first conductive layer (103) disposed above the semiconductor substrate (101) and within the first trench (108); a first insulation layer (102) disposed between the semiconductor substrate (101) and the first conductive layer (103); a second conductive layer (105) disposed above the semiconductor substrate (101) within the first trench (108) and electrically connected to the semiconductor substrate (101); a second insulation layer (104) disposed between the second conductive layer (105) and the first conductive layer (103); a third conductive layer (107) disposed below the semiconductor substrate (101) and within the second trench (109); and a third insulation layer (106) disposed between the third conductive layer (107) and the semiconductor substrate (101), the third conductive layer (107) being electrically connected to the first conductive layer (103).
(FR)
La présente invention concerne un condensateur et son procédé de fabrication. Le condensateur comprend : un substrat semi-conducteur (101) comprenant une surface supérieure et une surface inférieure opposées ; au moins une première tranchée (108) disposée au niveau du substrat semi-conducteur (101) et formée vers le bas à partir de la surface supérieure ; au moins une seconde tranchée (109) disposée au niveau du substrat semi-conducteur (101), correspondant à la première tranchée (108), et formée vers le haut à partir de la surface inférieure ; une première couche conductrice (103) disposée au-dessus du substrat semi-conducteur (101) et à l'intérieur de la première tranchée (108) ; une première couche d'isolation (102) disposée entre le substrat semi-conducteur (101) et la première couche conductrice (103) ; une deuxième couche conductrice (105) disposée au-dessus du substrat semi-conducteur (101) à l'intérieur de la première tranchée (108) et connectée électriquement au substrat semi-conducteur (101) ; une deuxième couche d'isolation (104) disposée entre la deuxième couche conductrice (105) et la première couche conductrice (103) ; une troisième couche conductrice (107) disposée au-dessous du substrat semi-conducteur (101) et à l'intérieur de la seconde tranchée (109) ; et une troisième couche d'isolation (106) disposée entre la troisième couche conductrice (107) et le substrat semi-conducteur (101), la troisième couche conductrice (107) étant électriquement connectée à la première couche conductrice (103).
(ZH)
一种电容器及其制作方法,该电容器包括:半导体衬底(101),包括相对设置的上表面和下表面;至少一第一沟槽(108),设置于半导体衬底(101),并自该上表面向下形成;至少一第二沟槽(109),设置于半导体衬底(101)且对应于该第一沟槽(108),并自该下表面向上形成;第一导电层(103),设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽内(108);第一绝缘层(102),设置于半导体衬底(101)与该第一导电层(103)之间;第二导电层(105),设置在半导体衬底(101)上方和该第一沟槽(108)内,且该第二导电层(105)与半导体衬底(101)电连接;第二绝缘层(104),设置于该第二导电层(105)与该第一导电层(103)之间;第三导电层(107),设置在半导体衬底(101)下方和该第二沟槽(109)内;第三绝缘层(106),设置于该第三导电层(107)与半导体衬底(101)之间,该第三导电层(107)与该第一导电层(103)电连接。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau